FIBを用いたGaイオン注入によるDLCデバイス作製

カテゴリ: 全国大会

論文No: 2-093

グループ名: 【全国大会】平成26年電気学会全国大会論文集

発行日: 2014/03/05

タイトル(英語): DLC device fabrication by Ga ion implantation using Focused Ion Beam

著者名: 大野貴史 (日本大学),高原 裕介(日本大学),胡桃 聡(日本大学),松田 健一(日本大学),鈴木 薫(日本大学)

著者名(英語): Takafumi Ohno(Nihon University),Yusuke Takahara(Nihon University),Satoshi Kurumi(Nihon University),Kenichi Matsuda(Nihon University),Kaoru Suzuki(Nihon University)

キーワード: ダイヤモンド状炭素

要約(日本語): 現在、カーボンナノチューブなどの新しい炭素素材が注目されており、我々はダイヤモンド状炭素 (Diamond Like Carbon : DLC)に着目した。DLCはダイヤモンド結合とグラファイト結合が混在のアモルファス状の炭素である。バンドギャップはダイヤモンドとグラファイトの比率を変化させ0 ~ 5.47 eVまで変化が可能である。ここにⅢ-Ⅴ族元素の注入による半導体素子の作製を目標にしている。過去の研究にて、集束イオンビーム(Focused Ion Beam : FIB)装置でのGaイオンの注入により、PINダイオード、ショットキーダイオード作製に成功した。本稿ではイオン感応性電界効果トランジスタ (Ion Selective Field Effect Transistor : ISFET)を目指し、前段階として電界効果トランジスタ(Field Effect Transistor : FET)の作製について実験的に検討した。

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 406 Kバイト