異なるMo膜上への近接昇華法によるAgAlTe2の作製

カテゴリ: 全国大会

論文No: 2-099

グループ名: 【全国大会】平成26年電気学会全国大会論文集

発行日: 2014/03/05

タイトル：異なるMo膜上への近接昇華法によるAgAlTe₂の作製

タイトル(英語): Growth of AgAlTe₂ on the Mo Film by Closed Space Sublimation Technique

著者名: 竹田 裕二(早稲田大学),宇留野 彩(早稲田大学),薄井 綾香(早稲田大学),井上 朋大(早稲田大学),小林 正和(早稲田大学)

著者名(英語): Yuji Takeda(Waseda University),Aya Uruno(Waseda University),Ayaka Usui(Waseda University),Tomohiro Inoue(Waseda University),Masakazu Kobayasi(Waseda University)

キーワード: 近接昇華法|カルコパイライト|スパッタ法|真空蒸着法

要約(日本語): 表面形状の異なるMo膜上へ近接昇華法を用いてAgAlTe₂の堆積を試みた。結果として近接昇華法を用いてMo層上にAgAlTe₂を堆積させることができた。但し下地となるMoの表面形状の影響を受けていることが明らかになった。今回用いた実験条件の範囲ではMoを真空蒸着法で堆積した際には、AgAlTe₂が作製できるが、スパッタ法で堆積したMoでは作製が出来ないということが明らかになった。Moの表面状態の違いが核形成に大きく影響していると考えられ、凸凹した表面形状の下地の方がAgAlTe₂が核成長しやすいと考えられる。

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 498 Kバイト