素子端部と中央部におけるMI特性と反磁界の影響

カテゴリ: 全国大会

論文No: 2-118

グループ名: 【全国大会】平成26年電気学会全国大会論文集

発行日: 2014/03/05

タイトル(英語): MI characteristics and effect of the demagnetizing field on the sensing position of ferromagnetic thin film element

著者名: 鎌田 信吾(岩手大学),菊池 弘昭(岩手大学)

著者名(英語): Singo Kamata(Iwate University),Hiroaki Kikuchi(Iwate University)

キーワード: 磁気異方性|反磁界|磁界センサ|磁化容易軸|インピーダンス

要約(日本語): 磁性体に高周波を通電し外部磁界印加時の急峻なインピーダンス変化を利用した磁気センサは高周波キャリア型あるいはMIセンサと称され、高感度な特徴を有する。このセンサを小型化する上では薄膜利用が有利であるが課題となるのが反磁界の影響による感度の低下であり、特に端部は強い影響を受ける。本研究では素子の端部と中央部において磁気インピーダンス測定と磁区観察を行って、それらの挙動を実験的に明らかにし、異なる素子位置における反磁界の影響について検討を行った。試料端部では反磁界の分布の影響で特性の劣化が確認されたのに対し、素子中央部では、反磁界の分布は均一なため、インピーダンスの磁界感度あるいは不連続特性は端部に比べ改善する。

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 474 Kバイト