バイアススイッチングによる基本波型フラックスゲートの温度ドリフト抑制

カテゴリ: 全国大会

論文No: 2-120

グループ名: 【全国大会】平成26年電気学会全国大会論文集

発行日: 2014/03/05

タイトル(英語): Suppression of the temperature variation of offset for the fundamental mode orthogonal fluxgate by using bias current switching

著者名: 加呂 光(九州大学),笹田 一郎(九州大学)

著者名(英語): Karo Hikaru(Kyushu University),Sasada Ichiro(Kyushu University)

キーワード: 磁界センサ|直交フラックスゲート|基本波|温度ドリフト

要約(日本語): フラックスゲート磁界センサは，高感度・高分解能なセンサであるが，センサのコアに用いる磁性体の磁化特性が温度により変化するため出力の安定性に問題がある．基本波型直交フラックスゲートでは，バイアス電流の通電方向を時間的に切り替える方法でオフセットの低減ができる．同様の方法で，温度変動に対するセンサ出力のドリフト抑制効果を検証し，その変動を約100分の1に低減可能であることを示した．

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 118 Kバイト