CMOSを用いたPTAT型温度センサの検討

カテゴリ: 全国大会

論文No: 3-127

グループ名: 【全国大会】平成26年電気学会全国大会論文集

発行日: 2014/03/05

タイトル(英語): Study on PTAT-Type Temperature Sensor Using CMOS Technology

著者名: 蒋 漢青(千葉工業大学),室 英夫(千葉工業大学)

著者名(英語): HanQing Jiang(Chiba Institute of Technology),Hideo Muro(Chiba Institute of Technology)

キーワード: 温度センサ|PTAT|CMOS|寄生トランジスタ|サブスレッショルド

要約(日本語): 本研究では、CMOS・LSIの中で実現可能な寄生バイポーラ・トランジスタを用いたPTAT型温度センサとCMOSサブスレッショルド特性を用いたPTAT型温度センサについて温度特性のシミュレーションを行い、その二つ方式の比較検討を行った。CMOS寄生トランジスタ方式においては温度を-40℃から100℃まで変化させた時の誤差はR1=200kΩにおいて0.5℃以内という結果が得られた。一方、CMOSサブスレッショルド方式において最大誤差は8℃に達するという結果となった。

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 243 Kバイト