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P(VDF/TrFE)薄膜を用いたMEMS超音波センサ

P(VDF/TrFE)薄膜を用いたMEMS超音波センサ

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カテゴリ: 全国大会

論文No: 3-134

グループ名: 【全国大会】平成26年電気学会全国大会論文集

発行日: 2014/03/05

タイトル(英語): MEMS Ultrasonic Sensor Using P(VDF/TrFE) Thin Films

著者名: 田中 恒久(大阪府立産業技術総合研究所),村上 修一(大阪府立産業技術総合研究所),宇野 真由美(大阪府立産業技術総合研究所),山下 馨(京都工芸繊維大学)

著者名(英語): Tsunehisa Tanaka(Technology Research Institute of Osaka Prefecture),Shuichi Murakami(Technology Research Institute of Osaka Prefecture),Mayumi Uno(Technology Research Institute of Osaka Prefecture),Kaoru Yamashita(Kyoto Institute of Technology)

キーワード: 超音波センサ|MEMS|圧電|超音波|センサ

要約(日本語): P(VDF/TrFE)薄膜を圧電体薄膜として使用したMEMS超音波センサを作製した。センサ上に作製したP(VDF/TrFE)薄膜は、良好な強誘電特性を示した。作製したMEMS超音波センサの受信感度特性を評価した結果、センサ感度が36?V/Pa, 共振周波数が181kHz、Q値が18である。P(VDF/TrFE)圧電薄膜は、圧電出力定数g31が大きく、ヤング率が小さく、音響インピーダンスが小さいため、構造を最適化していくことにより、感度向上が可能であると考えられる。

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 373 Kバイト

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