320?mピッチの流路を有するシリコン大気圧プラズマアレイデバイス
320?mピッチの流路を有するシリコン大気圧プラズマアレイデバイス
カテゴリ: 全国大会
論文No: 3-156
グループ名: 【全国大会】平成26年電気学会全国大会論文集
発行日: 2014/03/05
タイトル(英語): Silicon Atmospheric-Pressure Pasma Array Device with 320?m-Pitch Fluidic Channels
著者名: 山﨑秀貴 (香川大学),寺尾 京平(香川大学),鈴木 孝明(香川大学),下川 房男(香川大学),高尾 英邦(香川大学)
著者名(英語): Hidetaka Yamasaki(Kagawa University),Kyohei Terao(Kagawa University),Takaaki Suzuki(Kagawa University),Fusao Shimokawa(Kagawa University),Hidekuni Takao(Kagawa University)
キーワード: 大気圧プラズマ|プラズマジェットアレイ|MEMS技術
要約(日本語): 近年,様々な分野での利用を目指した大気圧プラズマ発生機構が数多く研究されており,微細な大気圧プラズマが求められている。しかし,これまでの事例では単一のプラズマジェットのみであり,その制御や機能の自由度に限界があった。これまで我々は,MEMS技術を用いてアレイ化した微小流路内部で大気圧プラズマを生成し,それぞれ独立制御を行うことにより,高い空間解像力とプラズマパターン制御の自在性を実現可能な微細大気圧プラズマアレイデバイスの製作と評価を行い,2.54mmピッチでのプラズマアレイ生成を実現した。しかし,ガラスとPDMSとの接着力が弱く十分なガス流速を実現することができなかった。そこで,これらの問題を解決するために,従来よりも高い接合強度を得られるシリコンを用いた,新しいプラズマジェットアレイ生成デバイスを製作した。
原稿種別: 日本語
PDFファイルサイズ: 293 Kバイト
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