高Q値を有する単結晶4H-SiC静電駆動マイクロカンチレバーの作製

カテゴリ: 全国大会

論文No: 3-157

グループ名: 【全国大会】平成26年電気学会全国大会論文集

発行日: 2014/03/05

タイトル(英語): Fabrication of Electrostatically Actuated Single-Crystalline 4H-SiC Micro Cantilevers with a High Quality Factor

著者名: 佐藤孝亮 (京都大学),足立 亘平(京都大学),岡本 創(NTT物性科学基礎研究所),山口 浩司(NTT物性科学基礎研究所),木本 恒暢(京都大学),須田 淳(京都大学)

著者名(英語): Kosuke Sato(Kyoto University),Kohei Adachi(Kyoto University),Hajime Okamoto(NTT Basic Research Laboratories),hiroshi Yamaguchi(NTT Basic Research Laboratories),tsunenobu Kimoto(Kyoto University),Jun Suda(Kyoto University)

キーワード: マイクロエレクトロメカニカルシステム|炭化ケイ素|電気化学エッチング

要約(日本語): 単結晶n型4H-SiC基板上にn型層、p型層、n型層を順にホモエピタキシャル成長させたnpn多層構造を用いて、電気化学エッチングによりp型SiC層のみを選択的にエッチングすることで単結晶4H-SiCカンチレバーを作製した。カンチレバーと基板が近接した構造であり、カンチレバー基板間に0.8 mVrmsの交流電圧と2 Vの直流電圧を印加することで、カンチレバーを静電気力により駆動させることができた。測定した共振特性の共振周波数および半値幅よりQ値を計算すると、4H-SiC静電駆動カンチレバーは200,000程度の非常に高いQ値を有することが示された。

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 595 Kバイト