SiC-MOSFETを用いた高周波インバータのロスレススナバキャパシタによるセルフターンオン抑制

カテゴリ: 全国大会

論文No: 4-131

グループ名: 【全国大会】平成26年電気学会全国大会論文集

発行日: 2014/03/05

タイトル(英語): Preventing method of self turn-on in a high frequency inverter using SiC-MOSFETs

著者名: 坪井 祥紀(東京工業大学),米田 昇平(東京工業大学),藤田 英明(東京工業大学)

著者名(英語): Yoshiki Tsuboi(Tokyo Institute of Technology),Shouhei Komeda(Tokyo Institute of Technology),Hideaki Fujita(Tokyo Institute of Technology)

キーワード: 誘導加熱|インバータ|SiC

要約(日本語): 近年，低損失なスイッチングデバイスとして，SiC-MOSFETが注目されている。SiC-MOSFETの特長としては，オン損失が小さいこと，スイッチング損失が小さいことが挙げられる。これらの特長から，高効率化が望まれている誘導加熱用高周波インバータのスイッチングデバイスにSiC-MOSFETを用いることが期待されている。低スイッチング損失を実現するためには低ゲート抵抗でゲートを駆動する必要があるが，ゲートを高速に駆動するとドレイン・ソース間電圧の時間変化率dvds/dtが大きくなり，MOSFETがセルフターンオンするおそれがある。そこで本論文では，ドレイン・ソース間にロスレススナバキャパシタによるセルフターンオンの抑制効果を実験的に検討する。

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 527 Kバイト