ゲートドライブ電源昇圧補助回路を用いたMOSFETの高速スイッチング法-双方向チョッパへの適用と運転特性-

カテゴリ: 全国大会

論文No: 4-136

グループ名: 【全国大会】平成26年電気学会全国大会論文集

発行日: 2014/03/05

タイトル(英語): High-Speed Switching Method of MOSFET Using Voltage Boost Auxiliary Circuit Fed by Gate Drive Power Supply- Application to Bidirectional Chopper and Its Operation Characteristics -

著者名: 村田 宗洋(静岡大学),野口 季彦(静岡大学)

著者名(英語): Munehiro Murata(Shizuoka University),Toshihiko Noguchi(Shizuoka University)

キーワード: MOSFET|補助回路|高速スイッチング|チョッパ

要約(日本語): MOSFETを高速スイッチングさせるには，ターンオン時間とターンオフ時間の両方を短縮することが求められる。ターンオン時間は，ゲート入力容量を高速に充電することにより短縮することができる。一方，ターンオフ時間はドレイン－ソース間の寄生容量を充電する時間によって決定される。筆者らはこれまでゲートドライブ電源昇圧補助回路を降圧チョッパ，ハーフブリッジインバータに適用してターンオフ時間の短縮を実験的に確認してきた。本稿では双方向チョッパにこの補助回路を適用して高速スイッチングを行い，軽負荷領域において25.2 ptの効率改善を実験的に確認したので報告する。

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 659 Kバイト