1200VクラスHVIC用高耐圧Pch-LDMOS

カテゴリ: 全国大会

論文No: 4-139

グループ名: 【全国大会】平成26年電気学会全国大会論文集

発行日: 2014/03/05

タイトル(英語): A 1200V-class high-voltage Pch-LDMOS for HVICs

著者名: 上西顕寛 (富士電機),田中 貴英(富士電機),赤羽 正志(富士電機),山路 将晴(富士電機),菅野 博(富士電機),澄田 仁志(富士電機)

著者名(英語): Akihiro Jonishi(Fuji Electric Co.,Ltd.),Takahide Tanaka(Fuji Electric Co.,Ltd.),Masashi Akahane(Fuji Electric Co.,Ltd.),Masaharu Yamaji(Fuji Electric Co.,Ltd.),Hiroshi Kanno(Fuji Electric Co.,Ltd.),Hitoshi Sumida(Fuji Electric Co.,Ltd.)

キーワード: HVIC|Pch-LDMOS|1200V|基板リーク|ダブルリサーフ

要約(日本語): 近年、HVICが高効率、高速、安価を特徴とするIGBTゲートドライバとして、モーター駆動やLED照明などの様々なアプリケーションに用いられ始めている。HVICのキーデバイスである高耐圧Pch-LDMOSには、オン状態で高電圧を印加した際に、基板へのリークが発生するという基板リーク現象の問題がある。今回、基板リーク現象の解析と、基板リークを抑制したHVIC用1200VクラスPch-LDMOSを開発したので報告する。1200VクラスPch-LDMOSにおける基板リーク現象は、ドレインドリフト領域のホール電流が基板に漏出するパンチスルー現象であることがわかった。新構造により基板リーク現象の原因であるパンチスルーを抑制することができ、実用化に十分な出力特性を持つ1200VクラスPch-LDMOSを実現することができた。

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 170 Kバイト