パワー半導体を用いたノズル空間内SF6ガス吹付けアークの減衰過程および回復電圧印加の基礎検討手法

カテゴリ: 全国大会

論文No: 6-295

グループ名: 【全国大会】平成26年電気学会全国大会論文集

発行日: 2014/03/05

タイトル：パワー半導体を用いたノズル空間内SF₆ガス吹付けアークの減衰過程および回復電圧印加の基礎検討手法

タイトル(英語): A Fundamental Investigation on a Decaying SF₆ Gas-Blast Arcs in a Nozzle using Power Semiconductors.

著者名: 田中 康規(金沢大学),中野 智之(金沢大学),清水 陽大(九州大学),永井 和彦(九州大学),合嶋 大輔(九州大学),富田 健太郎(九州大学),内野 喜一郎(九州大学),鈴木 克巳(東京電機大学),飯島 崇文(東芝),新海 健(東芝)

著者名(英語): Yasunori Tanaka(Kanazawa University),Tomoyuki Nakano(Kanazawa University),Takahiro Shimizu(Kyushu University),Kazuhiro Nagai(Kyushu University),Daisuke Gojima(Kyushu University),Kentaro Tomita(Kyushu University),Kiichiro Uchino(Kyushu University),Katsumi Suzuki(Tokyo Denki University),Takanori Iijima(Toshiba),Takeshi Shinkai(Toshiba)

キーワード: アーク|SF6|遮断器|遮断現象

要約(日本語): ノズル空間内のガス吹付けアーク消滅過程を詳細に解明することは，ガス遮断器のコンパクト化，高性能化にとって極めて重要である。今回，アーク減衰過程の基礎検討のため，パワー半導体を利用して意図的にフリーリカバリ減衰過程を作成し，さらにその後電極間に擬似的に回復電圧を印加する手法を考案した。本報告では，ノズル空間内のSF6ガス吹付けアークに対して，IGBTによりフリーリカバリアーク減衰過程を作成し，その後電圧を意図的に印加する試験を行った。その結果，アーク減衰後に電圧を印加するタイミングを変化させることで再発弧の有無を確認でき，極間の回復速さを簡易に検討できることがわかった。

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 180 Kバイト