ガス絶縁を用いた6.6kV級SiC-SBDモジュールの部分放電開始電圧の評価

カテゴリ: 全国大会

論文No: 1-130

グループ名: 【全国大会】平成27年電気学会全国大会論文集

発行日: 2015/03/05

タイトル(英語): Evaluation of Partial Discharge Inception Voltage of 6.6 kV class SiC-SBD Module using Gas Insulation

著者名: 満留 博(九州工業大学),小柳 佳祐(九州工業大学),今給黎 明大(九州工業大学),小迫 雅裕(九州工業大学),匹田 政幸(九州工業大学)

著者名(英語): Hiroshi Mitsudome(Kyushu Institute of Technology),Koyanagi Keisuke(Kyushu Institute of Technology),Akihiro Imakiire(Kyushu Institute of Technology),Masahiro Kozako(Kyushu Institute of Technology),Masayuki Hikita(Kyushu Institute of Technology)

キーワード: パワーモジュール|SiCパワー半導体|ガス絶縁|パッケージ技術|部分放電開始電圧|ワイドバンドギャップ半導体

要約(日本語): 近年、Si (シリコン)に代わる新しい半導体材料としてSiC(シリコンカーバイド)やGaN(窒化ガリウム)が注目を集めており、パワーデバイスの性能は向上した。しかし従来のパッケージ技術では、高電圧(1.2 kV以上)、高温(250℃以上)環境下で動作可能とすることは困難である。そこで我々はパッケージ材料にガス絶縁を用いることで、高温環境で動作可能かつ6.6kVの高電圧環境で使用可能な配電用パワーモジュールの開発を目指している。本稿では、6.6kVという高電圧環境に適用可能なパワーモジュールを試作し、空気中およびフロリナート含浸時の部分放電開始電圧(PDIV)、およびSF6中におけるPDIVのガス圧力依存性について評価したので報告する。

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 319 Kバイト