Si表面上へのグラフェン薄膜の作製技術の開発及び解析

カテゴリ: 全国大会

論文No: 2-078

グループ名: 【全国大会】平成27年電気学会全国大会論文集

発行日: 2015/03/05

タイトル(英語): Development and Analysis of Graphene Film Fabrication Techniques on Si surfaces

著者名: 寳井 義之(関東学院大学),加藤 ひとし(関東学院大学),竹村 進(関東学院大学),平松 友康(関東学院大学)

著者名(英語): Yoshiyuki Takarai(Kanto Gakuin University),Hitoshi Kato(Kanto Gakuin University),Susumu Takemura(Kanto Gakuin University),Tomoyasu Hiramatsu(Kanto Gakuin University)

キーワード: グラフェン|HOPG|Si

要約(日本語): 炭素の同素体として、フラーレン、カーボンナノチューブ、グラフェンがあるが、同じ炭素原子から成る物質でも結合の仕方によっては様々な性質を持ったものになる。グラフェンの研究は1940年代から行われていて、2004年にA.K.Geimらがスコッチテープにグラファイトのかけらを貼り付けて剥がすことでグラフェンを採取する実験に成功している。グラフェンは電気的、熱耐的、化学的にも優れた性能を持っていることがわかっており、次世代の電子デバイスに応用できると期待され研究が盛んに行われている。本研究では、Si表面上に２枚の両面テープを用いて約100μmの幅を作製し、その上に薄いHOPGフィルムをエンボスし、グラフェンフィルムの作製を試みた。また、それらの表面の測定及び解析を行った。

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 440 Kバイト