1
/
の
1
Se金属蒸気を用いたInSe/Mo薄膜の成長
Se金属蒸気を用いたInSe/Mo薄膜の成長
通常価格
¥440 JPY
通常価格
セール価格
¥440 JPY
単価
/
あたり
税込
カテゴリ: 全国大会
論文No: 2-097
グループ名: 【全国大会】平成27年電気学会全国大会論文集
発行日: 2015/03/05
タイトル(英語): Growth of InSe/Mo films by using Se metal vapor
著者名: 一戸 善弘(北海道科学大学),矢神 雅規(北海道科学大学),三澤 顕次(北海道科学大学)
著者名(英語): Yoshihiro Ichinohe(Hokkaido University of Science),Masaki Yagami(Hokkaido University of Science),Kenji Misawa(Hokkaido University of Science)
キーワード: 化合物太陽電池|セレン化法
要約(日本語): CIS太陽電池はセレン化法が最も大面積を安価に作製することが可能でセレン源にはガスソースであるH2Seを用いたものが多い。しかし結晶品質があまり良くなく、変換効率も高くない。そこで我々はまずInのセレン化に関して、Seの供給源をガスソースのH2Seではなく、Seの供給量を細かく制御できる金属Se蒸気を用いてセレン化を行い結晶性について評価を行った。H2Seを用いる場合と比較すると処理温度が500℃を超えるとInの脱離が見られInSe系化合物が作製できなかった。また、低温時の処理では処理時間が長くなるにつれSe分子量が少ないものから多いものへとInSe系化合物が変化していくことが確認された。
原稿種別: 日本語
PDFファイルサイズ: 534 Kバイト
受取状況を読み込めませんでした
