走査型プローブ顕微鏡によるSapphire 基板上GaNの観測

カテゴリ: 全国大会

論文No: 2-098

グループ名: 【全国大会】平成27年電気学会全国大会論文集

発行日: 2015/03/05

タイトル(英語): Surface potential measurement of GaN on sapphire by scanning probe microscope

著者名: 潤間 威史(千葉工業大学),佐藤 宜夫(千葉工業大学),石川 博康(芝浦工業大学)

著者名(英語): Takeshi Uruma(Chiba Inst. of Tech.),Nobuo Satoh(Chiba Inst. of Tech.),Hiroyasu Ishikawa(Shibaura Inst. of Tech.)

キーワード: ワイドバンドギャップ半導体|原子間力顕微鏡|ケルビンプローブ力顕微鏡

要約(日本語): スイッチング電源では，高速スイッチング化に伴いコイル(トランス) やコンデンサの体積を削減できることから，電源全体の更なる小型化に期待が寄せられている．その為，スイッチング素子の材料として高移動度や高耐圧を有するワイドギャップ半導体(SiC，GaN)が精力的に研究されている．本研究では，最表面をガリウム(Ga)または窒素(N)としたSapphire基板上のGaN薄膜を用意し，多機能な原子間力顕微鏡(AFM/KFM)により表面形状及び表面電位を同時・同一箇所観測した．結果から，Ga面はN面に対し約100 mV電位が高いことが確認された．これは，結晶表面における分極の向きが異なることによるものだと示唆される．また，N面において約80 nmの欠陥が確認された．これは，GaとNの原子半径の違いによるものだと考えられる．

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 423 Kバイト