ナノ粒子Cu2ZnSnS4薄膜のSe化とX線回折によるアニール条件の検討

カテゴリ: 全国大会

論文No: 2-100

グループ名: 【全国大会】平成27年電気学会全国大会論文集

発行日: 2015/03/05

タイトル：ナノ粒子Cu₂ZnSnS₄薄膜のSe化とX線回折によるアニール条件の検討

タイトル(英語): XRD Characterization of Selenization of Cu₂ZnSnS₄ Nanoparticle Films

著者名: 井狩 華奈美(早稲田大学),梅嶋 悠人(早稲田大学),上村 一生(早稲田大学),張 険峰(早稲田大学),小林 正和(早稲田大学)

著者名(英語): Kanami Ikari(Waseda University),Yuto Umejima(Waseda University),Kazuki Kamimura(Waseda University),Xianfeng Zhang(Waseda University),Masakazu Kobayasi(Waseda University)

キーワード: ナノ粒子|セレン化|エックス線回折|アニール

要約(日本語): 近年、入手し易く安価な原材料を主としていることから、Cu2ZnSnS4(CZTS)太陽電池に注目が集まっている。我々は、CZTS粉末をナノサイズ化し、塗布法を用いてCZTS薄膜の作製を行い、Se化を行っている。CZTSはバンドギャップが1.5eVであるのに対し、Sの一部をSeに置換した材料ではバンドギャップが1.1~1.5eVまで制御可能になり、太陽電池の変換効率改善も期待できる。これらの背景から、CZTSナノ粒子塗布薄膜をSe雰囲気中でアニールすることによりSの一部をSeと置換すると同時に、ナノ粒子の表面欠陥の回復やナノ粒子同士の結合による結晶粒径の改善を試みた。本研究では、Se化アニール条件の探査を目的としてさまざまな条件下でSe化アニールを行い、CZTSへのSe化アニールの効果を検討する。

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 446 Kバイト