近接昇華法によるAg(Ga,Al)Te2混晶の作製とバンドギャップの評価

カテゴリ: 全国大会

論文No: 2-101

グループ名: 【全国大会】平成27年電気学会全国大会論文集

発行日: 2015/03/05

タイトル：近接昇華法によるAg(Ga,Al)Te₂混晶の作製とバンドギャップの評価

タイトル(英語): Growth of Ag(Ga,Al)Te₂ by a Closed Space Sublimation Technique, and Characterization of Optical Properties

著者名: 薄井 綾香(早稲田大学),宇留野 彩(早稲田大学),井上 朋大(早稲田大学),竹田 裕二(早稲田大学),小林 正和(早稲田大学)

著者名(英語): Ayaka Usui(Waseda University),Aya Uruno(Waseda University),Tomohiro Inoue(Waseda University),Yuji Takeda(Waseda University),Masakazu Kobayashi(Waseda University)

キーワード: 近接昇華法|カルコパイライト

要約(日本語): 近年、光吸収が強く太陽電池応用に適しているカルコパイライト系I-III-VI₂族化合物半導体が注目されている。カルコパイライト系材料は混晶化することによりバンドギャップの制御も可能となる。これまでのところ近接昇華法によって高品質で組成が保たれたAgGaTe₂、AgAlTe₂、CuGaTe₂の作製に成功してきた。AgGaTe₂の室温におけるバンドギャップは太陽電池に適しているとされている値より少し小さいため、バンドギャップの大きいAgAlTe₂に注目し、AgGaTe₂とAgAlTe₂の混晶であるAg(Ga,Al)Te₂を作製することでバンドギャップ制御が可能かを検討した。特に今回はAgGaTe₂とAgAlTe₂のパウダーを混合したものをソースとして用いることを検討した。本研究では、ソース中のAgGaTe₂とAgAlTe₂のパウダー混合比が薄膜のバンドギャップにどのような影響を与えるかについて検討した。

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 436 Kバイト