MBE法によるZnTeのELO

カテゴリ: 全国大会

論文No: 2-103

グループ名: 【全国大会】平成27年電気学会全国大会論文集

発行日: 2015/03/05

タイトル(英語): Epitaxial Lateral Overgrowth of ZnTe by MBE

著者名: 橋本 勇輝(早稲田大学),中須 大蔵(早稲田大学),服部 翔太(早稲田大学),山下 聡太郎(早稲田大学),相場 貴之(早稲田大学),木津健 孫惟哲(早稲田大学),田栗 光祐(早稲田大学),風見 蕗乃(早稲田大学),小林 正和(早稲田大学),朝日 聡明(JX日鉱日石金属)

著者名(英語): Yuki Hashimoto(Waseda Univ. Dept. of Elec. Eng. and Biosci.),Taizo Nakasu(Waseda Univ. Dept. of Elec. Eng. and Biosci.),shota Hattori(Waseda Univ. Dept. of Elec. Eng. and Biosci.),Sotaro Yamashita(Waseda Univ. Dept. of Elec. Eng. and Biosci.),Takayuki Aiba(Waseda Univ. Dept. of Elec. Eng. and Biosci.),SunWei-Che KizuTakeru(Waseda Univ. Dept. of Elec. Eng. and Biosci.),Kosuke Taguri(Waseda Univ. Dept. of Elec. Eng. and Biosci.),Fukino Kazami(Waseda Univ. Dept. of Elec. Eng. and Biosci.),Masakazu Kobayashi(Waseda Univ. Dept. of Elec. Eng. and Biosci.),Toshiaki Asahi(JX)

キーワード: MBE|ZnTe|横方向成長

要約(日本語): 我々はテラヘルツ波検出素子への応用に向け、サファイア基板上に高品質ZnTe薄膜の作製を行っている。MBE法を用いてサファイア基板上にZnTe薄膜を作製すると、ZnTe薄膜はサファイア基板の方位や原子配列の影響を受けて成長方位が決まる。しかし、サファイアとZnTe間では大きな格子不整や結晶構造の違いのため成長膜の結晶性が悪くなってしまう。そこで我々はZnTe薄膜の結晶性を改善する方法として、横方向成長(Epitaxial Lateral Overgrowth: ELO)に注目した。SiO2マスクを施したサファイアc面基板上にMBE法を用いてZnTeを成長させ、サファイアc面基板上ZnTeのELOについて検討した。その結果サファイアc面基板上へのZnTeの横方向成長が可能であるとの知見が得られた。

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 398 Kバイト