複合フッ化物マトリックスを用いたナノグラニュラー膜のTMR特性

カテゴリ: 全国大会

論文No: 2-148

グループ名: 【全国大会】平成27年電気学会全国大会論文集

発行日: 2015/03/05

タイトル(英語): Tunnel magnetoresistance of nanogranular films by means of complex fluoride matrices

著者名: 直江 正幸(電磁材料研究所),飯塚 昭光(電磁材料研究所),早坂 淳一(電磁材料研究所),小林 伸聖(電磁材料研究所),荒井 賢一(電磁材料研究所)

著者名(英語): Masayuki Naoe(Research Institute for Electromagnetic Materials),Akimitsu Iizuka(Research Institute for Electromagnetic Materials),Jun-ichi Hayasaka(Research Institute for Electromagnetic Materials),Nobukiyo Kobayashi(Research Institute for Electromagnetic Materials),Ken-ichi Arai(Research Institute for Electromagnetic Materials)

キーワード: ナノグラニュラー膜|トンネル磁気抵抗効果|フッ化物|比抵抗

要約(日本語): ナノグラニュラーTMR(トンネル磁気抵抗効果)膜のマトリックス材料にフッ化物を用いると，比抵抗が向上しMR比も大きくなることから，高感度かつ低消費電力な磁気センサ素子に貢献する．しかし，工業的観点から，従来よりもやや低い比抵抗領域のナノグラニュラーTMR膜が望まれている．これまでは，種々の単元フッ化物によるTMR特性(MR比や比抵抗)の調整を主に検討してきたが，選択肢拡大のため，二種以上のフッ化物を混合した複合フッ化物の実用可能性を調査した．今回は，MgF₂とGdF₃から成る複合フッ化物について検討し，TMR特性の膜組成依存性について調査した結果，その有用性が示された．

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 282 Kバイト