小型高速高電圧固体スイッチ回路の試作

カテゴリ: 全国大会

論文No: 3-019

グループ名: 【全国大会】平成27年電気学会全国大会論文集

発行日: 2015/03/05

タイトル(英語): Fabrication of a small-sized fast high-voltage solid state switch

著者名: 神藤 翼(近畿大学),ヌルシャラフィナ ビンティオツマン(近畿大学),山田 誠(近畿大学),津山 美穂(近畿大学),中野 人志(近畿大学)

著者名(英語): Tsubasa Jindo(Kinki University),Binti Othman Nur Syarafina(Kinki University),Makoto Yamada(Kinki University),Miho Tsuyama(Kinki University),Hitoshi Nakano(Kinki University)

キーワード: 絶縁ゲートバイポーラトランジスタ|高速高電圧スイッチ

要約(日本語): 近年、パワーMOSFETやIGBT等の半導体パワーデバイスの技術革新は著しく、IGBTでは素子単体で1 kVの耐圧、マイクロ秒からナノ秒に至る高速動作が可能なものも存在している。数kV以上で、数ナノ秒の高速動作が必要とされるガスレーザーの励起、放電プラズマの発生等の応用にパワーデバイスを用いた固体スイッチの適用が期待されている。本研究では、小型で高速動作が可能な高電圧固体スイッチの開発を試みた。スイッチング素子にオン抵抗の制限が無く、電流密度が高く設定できるIGBTを採用した。また、IGBTを多段縦列接続することで、耐圧が5 kV程度の回路を試作した。

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 279 Kバイト