マイクロリアクタ搭載に向けた偏光計測CMOSイメージセンサの機能向上

カテゴリ: 全国大会

論文No: 3-091

グループ名: 【全国大会】平成27年電気学会全国大会論文集

発行日: 2015/03/05

タイトル(英語): Performance improvements of polarization-analyzing CMOS image sensor for micro reactor

著者名: 本田 眞彬(奈良先端科学技術大学院大学),森 亮太(奈良先端科学技術大学院大学),増田 啓太(奈良先端科学技術大学院大学),竹原 宏明(奈良先端科学技術大学院大学),野田 俊彦(奈良先端科学技術大学院大学),笹川 清隆(奈良先端科学技術大学院大学),徳田 崇(奈良先端科学技術大学院大学),西山 靖浩(奈良先端科学技術大学院大学),垣内 喜代三(奈良先端科学技術大学院大学),太田 淳(奈良先端科学技術大学院大学)

著者名(英語): Masaaki Honda(Nara Institute of Science and Technology),Ryota Mori(Nara Institute of Science and Technology),Keita Masuda(Nara Institute of Science and Technology),Hiroaki Takehara(Nara Institute of Science and Technology),Noda Toshihiko(Nara Institute of Science and Technology),Sasagawa Kiyotaka(Nara Institute of Science and Technology),Takashi Tokuda(Nara Institute of Science and Technology),Yasuhiro Nishiyama(Nara Institute of Science and Technology),Kiyomi Kakiuchi(Nara Institute of Science and Technology),Jun Ohta(Nara Institute of Science and Technology)

キーワード: CMOSイメージセンサ|偏光計測|マイクロリアクタ|μTAS

要約(日本語): 我々はマイクロリアクタへの統合を目指したCMOSイメージセンサベースの小型旋光計の開発を行ってきた。本技術では標準CMOSプロセスの金属配線層によるワイヤグリッド構造をオンチップ偏光子として用いており、入射偏光の即時計測に成功している。今回、偏光角計測精度の向上と静電破壊(ESD)耐性の強化等のため、偏光分析イメージセンサを設計した。これらの改善によって、偏光分析精度の向上及びESD破壊への耐性の強化が期待される。

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 369 Kバイト