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広範囲被覆可能なCMOSベースマルチモーダル電気脳刺激・計測デバイスの開発

広範囲被覆可能なCMOSベースマルチモーダル電気脳刺激・計測デバイスの開発

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カテゴリ: 全国大会

論文No: 3-093

グループ名: 【全国大会】平成27年電気学会全国大会論文集

発行日: 2015/03/05

タイトル(英語): Development of a CMOS-based optical and electrical brain multi-modal device with wide area coverage

著者名: 野口 知暉(奈良先端科学技術大学院大学),神山 直也(奈良先端科学技術大学院大学),竹原 宏明(奈良先端科学技術大学院大学),野田 俊彦(奈良先端科学技術大学院大学),笹川 清隆(奈良先端科学技術大学院大学),徳田 崇(奈良先端科学技術大学院大学),太田 淳(奈良先端科学技術大学院大学)

著者名(英語): Satoki Noguchi(Nara Institute of Science and Technology),Naoya Kamiyama(Nara Institute of Science and Technology),Hiroaki Takehara(Nara Institute of Science and Technology),Toshihiko Noda(Nara Institute of Science and Technology),Kiyotaka Sasagawa(Nara Institute of Science and Technology),tadashi Tokuda(Nara Institute of Science and Technology),Jun Ohta(Nara Institute of Science and Technology)

キーワード: optogenetics|CMOS|神経インターフェイス|フレキシブル|バイオアンプ|生体埋め込み

要約(日本語): 我々は、CMOS集積回路技術を用いた、オプトジェネティクスに応用可能なマルチモーダル脳刺激・計測デバイスを提案している。今回、CMOSチップ搭載神経インターフェイスデバイスを2次元的に配置した広範囲対応型マルチモーダル脳刺激計測デバイスを提案する。提案デバイスは、CMOSマルチチャンネル入出力チップを搭載した6角形の神経インターフェイスデバイスを、フレキシブル配線で2次元的に結合した構造となっている。報告では、CMOSチップの設計を中心に、デバイスの構造・機能について詳述する。

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 477 Kバイト

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