Sub-1G検出可能な3軸MEMS加速度センサの基礎検討

カテゴリ: 全国大会

論文No: 3-113

グループ名: 【全国大会】平成27年電気学会全国大会論文集

発行日: 2015/03/05

タイトル(英語): A Study on MEMS Accelerometers for Tri-axis Sub-1G Detection

著者名: 山根 大輔(東京工業大学),小西 敏文(NTTアドバンステクノロジ),松島 隆明(NTTアドバンステクノロジ),年吉 洋(東京大学),町田 克之(東京工業大学),益 一哉(東京工業大学)

著者名(英語): Daisuke Yamane(Tokyo Institute of Technology),Toshifumi Konishi(NTT-AT),Takaaki Matsushima(NTT-AT),Hiroshi Toshiyoshi(The University of Tokyo),Katsuyuki Machida(Tokyo Institute of Technology),Kazuya Masu(Tokyo Institute of Technology)

キーワード: 加速度センサ|MEMS|３軸

要約(日本語): Sub-1G検出用3軸MEMS加速度センサの可能性を検討し、高密度な単一錘を提案し、MEMS機械雑音（Brownian Noise）の設計値は0.30 μG/Hz^1/2程度を得た。これは、一般的な市販MEMS加速度センサと比較して3桁ほど低ノイズである。また，CMOS後工程に適用可能な金めっきプロセスでMEMS作製できるため、CMOSセンサ回路とMEMSのワンチップ集積が可能である。今回、基礎検証として容量－周波数特性、容量－加速度依存性の実験を行い、1 G以下の印加加速度に対する静電容量変化を実験的に確認した。これにより、集積化CMOS-MEMS加速度センサの3軸・高感度化への見通しを得た。

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 308 Kバイト