ナノスケール単結晶Siの脆性-延性遷移温度の寸法依存性

カテゴリ: 全国大会

論文No: 3-122

グループ名: 【全国大会】平成27年電気学会全国大会論文集

発行日: 2015/03/05

タイトル(英語): Size Effect on Brittle-to-Ductile Temperature of Single Cristal Silicon in Nanoscale Range

著者名: 上野 晃平(立命館大学),安藤 妙子(立命館大学)

著者名(英語): Kohei Ueno(Ritsumeikan University),Taeko Ando(Ritsumeikan University)

キーワード: シリコン|転位|引張試験|ナノスケール|ＴＥＭ

要約(日本語): 脆性-延性の遷移はアプリケーションの使用環境や信頼性を考慮する上で重要な材料特性である。脆性-延性の遷移は温度とひずみ速度の影響を強く受け、バルク材では600 ℃付近で脆性から延性に遷移するが、ナノスケールSiの場合、スケールの要因も無視することが出来なくなる。しかしながらMEMS分野においてこれまでに速いひずみ速度での材料特性の報告はほとんどない。本研究では速いひずみ速度での単結晶Siの脆性-塑性挙動に対する温度とスケールの影響を調べた。結果としてSiの脆性-延性の境界は厚さ500 nm では室温近くにあり、また室温では膜厚が200 nm と500 nm の間にあるといった膜厚依存性を確認した。

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 563 Kバイト