高温におけるシリコンの塑性変形に及ぼすGe原子の影響

カテゴリ: 全国大会

論文No: 3-123

グループ名: 【全国大会】平成27年電気学会全国大会論文集

発行日: 2015/03/05

タイトル(英語): Influence of Ge atoms on plastic deformation of single crystal silicon at high temperature

著者名: 太田 一輝(立命館大学),安藤 妙子(立命館大学)

著者名(英語): Kazuki Oota(Ritsumeikan University),Taeko Ando(Ritsumeikan University)

キーワード: 引張試験|単結晶シリコン|B・Geコドープ|高温|転位

要約(日本語): シリコンの高温における機械特性は、加熱環境下でMEMSデバイスを使用する際の構造や信頼性の観点から重要である。特に 600 ?C 以上の高温では塑性変形を起こし使用温度が制限される。一方、ボロン(B)とゲルマニウム(Ge)をコドープしたシリコンが、Bのみをドープしたシリコンと比べて熱応力におけるすべり転位の発生を抑えることが報告されている。本研究では、単結晶シリコンのBドープとB・Geコドープウエハを試験材料として、600℃と700℃で引張試験を行った。単結晶シリコン中のGe原子の存在が、高温における転位の運動やそれに伴う塑性変形に大きく影響することが明らかとなった。

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 246 Kバイト