SiC-BGSITとSi-MOSFETバリガペアの評価

カテゴリ: 全国大会

論文No: 4-001

グループ名: 【全国大会】平成27年電気学会全国大会論文集

発行日: 2015/03/05

タイトル(英語): Device Properties of Baliga Pair using SiC-BGSIT and Si-MOSFET

著者名: 山本 真幸(山梨大学),飯塚 大臣(山梨大学),矢野 浩司(山梨大学),田中 保宣(産業技術総合研究所),八尾 勉(産業技術総合研究所)

著者名(英語): Masayuki Yamamoto(University of Yamanashi),Hiroomi Iizuka(University of Yamanashi),Koji Yano(University of Yamanashi),Yasunori Tanaka(AIST),Tsutomu Yatsuo(AIST)

キーワード: 静電誘導トランジスタ|バリガペア|炭化ケイ素

要約(日本語): 高耐圧SiC-埋め込みゲート型静電誘導トランジスタ(BGSIT)と低耐圧Si-MOSFETをカスコード接続させたバリガペアは、ゲート部がSi-MOS構造であることから駆動信号のノイズマージンが大きいという利点がある。本研究では、SiC-BGSITとSi-MOSFETバリガペアのデバイス特性を評価した。

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 273 Kバイト