パワーMOSFETデバイスモデルに向けた自動モデルパラメータ決定手法に関する一検討

カテゴリ: 全国大会

論文No: 4-002

グループ名: 【全国大会】平成27年電気学会全国大会論文集

発行日: 2015/03/05

タイトル(英語): A Case Study of Automatic Parameter Estimation for Power MOSFET Device Model

著者名: 新谷 道広(京都大学),廣本 正之(京都大学),佐藤 高史(京都大学)

著者名(英語): Michihiro Shintani((Graduate School of Informatics, Kyoto University),Masayuki Hiromoto((Graduate School of Informatics, Kyoto University),Takashi Sato((Graduate School of Informatics, Kyoto University)

キーワード: SiCパワーMOSFET|デバイスモデル|モデルパラメータ決定|焼きなまし法

要約(日本語): SiCパワーMOSFETの特性を最大限に引き出して回路設計を行うためには，SiCパワーMOSFETの動作を高精度に模擬したデバイスモデルを用いた回路シミュレーションが必要不可欠である．一般的に，デバイスモデルは複数の数式とモデルパラメータで表され，モデルパラメータの決定において，その多くは計測した電気特性から間接的に決定する必要がある．既存のパラメータ決定手法は非線形最小二乗法が用いられており，解の探索能力が初期値に大きく依存し，局所解に陥りやすいといった欠点がある．本稿では，焼きなまし法を用いたモデルパラメータ自動決定環境を構築し，市販SiCパワーMOSFETに対して適用した結果を示す．

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 276 Kバイト