3.3kV SiC-MOSFETのスイッチング試験結果

カテゴリ: 全国大会

論文No: 4-003

グループ名: 【全国大会】平成27年電気学会全国大会論文集

発行日: 2015/03/05

タイトル(英語): Result of Switching Test of 3.3kV SiC-MOSFET

著者名: 日野 晃裕(富士電機),遠藤 弘(富士電機),辻 崇(富士電機),福田 恭平(富士電機),堀 元人(富士電機)

著者名(英語): Akihiro Hino(Fuji Electric Co., LTD.),Hiroshi Endo(Fuji Electric Co., LTD.),Takashi Tsuji(Fuji Electric Co., LTD.),Kyohei Fukuda(Fuji Electric Co., LTD.),Motohito Hori(Fuji Electric Co., LTD.)

キーワード: SiC|MOSFET|SBD|3.3kV|スイッチング

要約(日本語): 近年, 太陽光発電をはじめとする再生可能エネルギー普及に伴い, 配電系統の電圧変動問題が顕著に現れる恐れがある。この問題は電力変換器の導入によって解決できるが, 電力変換器の配電系統への導入を拡大するためには, 機器の更なる高効率化, 小形・軽量化が求められている。そのため, 従来のSiと比較して高耐圧, 低損失などの特長を持つ次世代ワイドバンドギャップ半導体のSiCが着目され, そのSiCを材料とする半導体デバイス(SiCデバイス)を用いたパワーモジュールやインバータの開発が国内外で進められている。今回, 耐圧3.3kVのSiC-MOSFETとSiC-SBDを搭載したモジュールを試作し, スイッチング試験によってデバイスを評価した。本稿では, その結果を報告する。

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 470 Kバイト