表面ポテンシャルモデルを用いたSiCパワーMOSFETの過渡解析に関する一検討

カテゴリ: 全国大会

論文No: 4-005

グループ名: 【全国大会】平成27年電気学会全国大会論文集

発行日: 2015/03/05

タイトル(英語): A Study on Transient Analysis of SiC Power MOSFET based on Surface Potential Model

著者名: 中村 洋平(京都大学),引原 隆士(京都大学)

著者名(英語): Yohei Nakamura(Graduate school Kyoto University),Hikihara.Takashi(Graduate school Kyoto University)

キーワード: パワーMOSFET|過渡解析|表面ポテンシャル|デバイスモデリング

要約(日本語): 近年, パワーMOSFETの材料として, 従来から用いられているSiに比べ, 物性的に優位な特性を有するSiCに期待が集まっている. このSiCを用いたパワーMOSFETの特性を生かした回路設計や, 回路の動作に応じたデバイス設計を検討するためには, SiCパワーMOSFETの回路モデルが不可欠となる. 従来から用いられている閾値電圧モデルは, SiCパワーMOSFETの表現には充分ではない. 本報告では, より詳細に半導体デバイス物理に従う表面ポテンシャルモデルをSiCパワーMOSFETに適用することを試みた.

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 366 Kバイト