SiCパワーデバイスの新しい高信頼ターミネーション構造(HiRST)

カテゴリ: 全国大会

論文No: 4-006

グループ名: 【全国大会】平成27年電気学会全国大会論文集

発行日: 2015/03/05

タイトル(英語): A Novel Highly Reliable and Simple Termination (HiRST) for SiC Power Devices

著者名: 平尾 高志(日立製作所),森 睦宏(日立製作所),小野瀬 秀勝(日立製作所)

著者名(英語): Takashi Hirao(Hitachi, Ltd.),Mutsuhiro Mori(Hitachi, Ltd.),Hidekatsu Onose(Hitachi, Ltd.)

キーワード: ターミネーション|FLR|フィールドプレート

要約(日本語): SiC用のターミネーション構造として，SiCの高電界でも高耐圧を実現でき，界面電荷にも安定な，FLRとフィールドプレートを使った新しい高信頼ターミネーション構造であるHiRST構造を提案する。HiRST構造を適用した4H-SiCダイオードを試作し，評価した結果，高温逆バイアスの環境下で，耐圧3.3 kV以上を安定に保持することを確認した。

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 284 Kバイト