大容量SiC-MOSFET/SBDモジュールの開発

カテゴリ: 全国大会

論文No: 4-007

グループ名: 【全国大会】平成27年電気学会全国大会論文集

発行日: 2015/03/05

タイトル(英語): Development of High-Power SiC-MOSFET/SBD Module

著者名: 小谷 和也(東芝),市倉 優太(東芝),竹中 浩(東芝),田多 伸光(東芝)

著者名(英語): kazuya kodani(Toshiba Corporation),yuta ichikura(Toshiba Corporation),hiroshi takenaka(Toshiba Corporation),nobumitsu tada(Toshiba Corporation)

キーワード: パワーデバイス|シリコンカーバイド|寄生抵抗|寄生インダクタンス

要約(日本語): ＳｉＣパワーデバイスは、高電圧、大電流、高周波の用途に適しており、パワーエレクトロニクス装置の高効率化、小型化に貢献する。高速で低損失である分、従来に比べてパワーモジュール内の寄生抵抗、インダクタンスの低減が重要になる。本稿では、これらの課題を改善したＳｉＣパワーモジュール（1700V-400A 2in1）について報告する。

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 205 Kバイト