チップ材質と構造の異なるパワーデバイスのスイッチング波形に関する基礎検討

カテゴリ: 全国大会

論文No: 4-008

グループ名: 【全国大会】平成27年電気学会全国大会論文集

発行日: 2015/03/05

タイトル(英語): Fundamental study on Switching waveforms of power devices with different tip material and structure

著者名: 園田 将史(九州工業大学),神代 真也(九州工業大学),加茂 智士(九州工業大学),大塚 信也(九州工業大学),吐合 一徳(安川電機),福島 宏樹(安川電機),川波 靖彦(安川電機)

著者名(英語): Sonoda Masashi(Kyushu Institute of Technology),Kojiro Shinya(Kyushu Institute of Technology),Kamo Tomohito(Kyushu Institute of Technology),Ohtsuka Shinya(Kyushu Institute of Technology),Hakiai Kazunori(YASKAWA ELECTRIC CORPORATION),Fukushima Hiroki(YASKAWA ELECTRIC CORPORATION),Kawanami Yasuhiko(YASKAWA ELECTRIC CORPORATION)

キーワード: パワーデバイス|電界効果トランジスタ|光電子移動度トランジスタ|スイッチング波形

要約(日本語): 本論文では、SiCとSi-MOSFETおよびGaN-HEMTの3種類のチップ材質と構造の異なるパワーデバイスを用いてインダクタンス負荷のチョッパ回路でスイッチング動作を行ない、スイッチング動作時の放射ノイズを、ミックスドドメインオシロスコープを用いて各時間領域毎に測定し比較検討した。その結果、放射ノイズの強くなるスイッチング動作のタイミングおよびその周波数の特徴を明らかにした。

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 420 Kバイト