チップ材質と構造の異なるパワーデバイスのスイッチング波形に関する基礎検討

カテゴリ: 全国大会

論文No: 4-009

グループ名: 【全国大会】平成27年電気学会全国大会論文集

発行日: 2015/03/05

タイトル(英語): Fundamental study on Switching waveforms of power devices with different tip material and structure

著者名: 神代 真也(九州工業大学),加茂 智士(九州工業大学),園田 将史(九州工業大学),大塚 信也(九州工業大学),吐合 一徳(安川電機),福島 宏樹(安川電機),川波 靖彦(安川電機)

著者名(英語): Shinya Kojiro(Kyushu Institute of Technology),Tomohito Kamo(Kyushu Institute of Technology),Masashi Sonoda(Kyushu Institute of Technology),Shinya Ohtsuka(Kyushu Institute of Technology),Kazunori Hakiai(YASKAWA ELECTRIC CORPORATION),Hiroki Fukushima(YASKAWA ELECTRIC CORPORATION),Yasuhiko Kawanami(YASKAWA ELECTRIC CORPORATION)

キーワード: パワーデバイス|スイッチング波形|電界効果トランジスタ|高電子移動度トランジスタ|スイッチング特性

要約(日本語): 近年SiCやGaN、ダイヤモンドなどのワイドギャップ半導体材料を用いたパワーデバイスが開発されており、一部実用化されている。これらパワーデバイスを信頼性高く、効率的に駆動するには、スイッチング動作時の現象理解と共に、スイッチング時に発生するノイズの抑制が望まれている。本研究では、チョッパ回路を対象に、スイッチング素子にチップ材質と構造の異なるパワーデバイスにおけるスイッチング動作を検討するための実験回路を構築した。同回路を駆動するパワーデバイスのチップ材質にSiC-MOSFET、Si-MOSFETおよび比較のためGaN-HEMTを選定した。各素子のターンオン時のドレイン-ソース間の電圧Vds、電流負荷ILoadの時間変化と、重畳されるサージ電圧およびサージ電流を評価した。

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 327 Kバイト