1
/
の
1
HEV用IGBTモジュールの熱抵抗低減
HEV用IGBTモジュールの熱抵抗低減
通常価格
¥440 JPY
通常価格
セール価格
¥440 JPY
単価
/
あたり
税込
カテゴリ: 全国大会
論文No: 4-014
グループ名: 【全国大会】平成27年電気学会全国大会論文集
発行日: 2015/03/05
タイトル(英語): Thermal resistnce reduction of IGBT module for HEV
著者名: 大部 利春(東芝),田多 伸光(東芝),萩原 敬三(東芝)
著者名(英語): Toshiharu Ohbu(Toshiba Corporation),Nobumitsu Tada(Toshiba Corporation),Keizo Hagiwara(Toshiba Corporation)
キーワード: IGBT|車載|インバータ|熱抵抗低減
要約(日本語): 車載インバータは搭載スペース制約等により、出力密度向上が求められる。向上の1手段として、IGBTモジュールの熱抵抗低減が考えられる。東芝は、モジュール内部でチップを両面冷却する実装構造を開発し、過渡および定常熱抵抗を従来比60%削減可能な、100kW級車載インバータ向けの低熱抵抗IGBTモジュールを開発した。
原稿種別: 日本語
PDFファイルサイズ: 528 Kバイト
受取状況を読み込めませんでした
