圧接型半導体スタックの圧力分布解析

カテゴリ: 全国大会

論文No: 4-019

グループ名: 【全国大会】平成27年電気学会全国大会論文集

発行日: 2015/03/05

タイトル(英語): Pressure Distribution Analysis of Pressure Contact Semiconductor Stack

著者名: 市倉 優太(東芝),日暮 洋樹(東芝三菱電機産業システム),椋木 誠(東芝三菱電機産業システム)

著者名(英語): Yuta Ichikura(Toshiba Corporation),Hiroki Higure(Toshiba Mitsubishi-Electric Industrial Systems Corporation),Makoto Mukunoki(Toshiba Mitsubishi-Electric Industrial Systems Corporation)

キーワード: IEGT|構造解析

要約(日本語): 圧接型半導体電極面の圧力分布改善策として、応力解析による圧接スタック構造の検討結果と、当該構造を産業用ドライブ装置に適用した場合の試作試験結果を発表する。解析により、電極面の圧力分布を平準化する圧接部材形状を明らかにした。また、解析結果と実測結果にて同様の改善効果が得られることを確認した。本改善により、従来は電極径125mmの圧接型半導体を使用していた定格6MVAのドライブ装置において、電極径85mmの圧接型半導体への変更が可能となり、装置の小型化が実現可能となった。

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 308 Kバイト