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SiC-MOSFETを用いた降圧形AC/DCコンバータの損失解析

SiC-MOSFETを用いた降圧形AC/DCコンバータの損失解析

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カテゴリ: 全国大会

論文No: 4-069

グループ名: 【全国大会】平成27年電気学会全国大会論文集

発行日: 2015/03/05

タイトル(英語): Loss Analysis of Buck AC/DC Converter using SiC-MOSFET

著者名: 鈴木 一馬(名古屋工業大学),磯崎 順平(名古屋工業大学),北川 亘(名古屋工業大学),竹下 隆晴(名古屋工業大学)

著者名(英語): Kazuma Suzuki(Nagoya Institute of Technology),Junpei Isozaki(Nagoya Institute of Technology),Wataru Kitagawa(Nagoya Institute of Technology),Takaharu Takeshita(Nagoya Institute of Technology)

キーワード: 降圧形AC/DCコンバータ|双方向電力変換器|Si-IGBT|SiC-MOSFET|損失解析

要約(日本語): 近年,資源枯渇や地球温暖化などの環境問題を背景に太陽光発電やリチウムイオン電池などの電力貯蔵装置の需要が高まっている。これらの蓄電池システムの増加に伴い,系統連系における小型で高効率な双方向電力変換器の需要も高まっている。また,SiCデバイスを用いることで,機器の小型化・高効率化を図る試みが行われている。本論文では,双方向降圧形AC/DCコンバータの試作システムにおいて,Si-IGBTおよびSiC-MOSFETスイッチを用いて,両システムのコンバータの効率測定を行った。その結果を用いて,Si-IGBTとSiC-MOSFETのスイッチング損失と導通損失の概算を行い,各スイッチの特性の考察を行った。

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 794 Kバイト

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