GaN-FETとSi-MOSFETのEMIの比較

カテゴリ: 全国大会

論文No: 4-101

グループ名: 【全国大会】平成27年電気学会全国大会論文集

発行日: 2015/03/05

タイトル(英語): Comparison of EMI caused by GaN-FET and Si-MOSFET

著者名: 丸山 貴靖(首都大学東京),清水 敏久(首都大学東京)

著者名(英語): Takayasu Maruyama(Tokyo Metropolitan University),Toshihisa Shimizu(Tokyo Metropolitan University)

キーワード: EMI|GaN

要約(日本語): GaNパワーデバイスはその高絶縁耐圧特性により，Siパワーデバイスよりも高速なスイッチングが可能となったが，一方で，それに伴う伝導ノイズの増加が懸念されている。筆者らは，同一の主回路基板を用いて，Si-MOSFETとGaN-FETのスイッチング波形を比較し，さらに，コモンモード伝導ノイズについて、配線インダクタンスや対地間容量を考慮したシミュレーションと実測結果の比較を行ったので報告する。

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 628 Kバイト