非接触給電用インバータへのSiC パワーデバイス適用による高効率化

カテゴリ: 全国大会

論文No: 4-128

グループ名: 【全国大会】平成27年電気学会全国大会論文集

発行日: 2015/03/05

タイトル(英語): Efficiency Improvement of Contactless Power Transfer System Using SiC Power Semiconductor Device

著者名: 田邊 隼翔(九州工業大学),小島 隆寛(九州工業大学),今給黎 明大(九州工業大学),藤 清高(九州工業大学),小迫 雅裕(九州工業大学),匹田 政幸(九州工業大学)

著者名(英語): Hayato Tanabe(Kyushu Institute of Technology),Takahiro Kojima(Kyushu Institute of Technology),Akihiro Imakiire(Kyushu Institute of Technology),Kiyotaka Fuji(Kyushu Institute of Technology),Masahiro Kozako(Kyushu Institute of Technology),Masayuki Hikita(Kyushu Institute of Technology)

キーワード: 非接触給電|SiC-MOSFET|インバータ

要約(日本語): 本稿では，非接触給電に用いるインバータへシリコンカーバイドのパワーデバイスを適用して高効率化を図るため，Si-IGBTとSiC-MOSFETの静特性とスイッチング損失について実験と計算による比較を行った。 比較結果より，導通損失は通電電流が20 A以下の場合，SiC-MOSFETの方がオン抵抗は低く，導通損失は小さくなった。これに対して，通電電流が20 A以上の場合，IGBTの方がオン抵抗は低く，導通損失は小さくなった。一方で，定格電流30 Aと10 Aにおいてスイッチング損失はほぼ同程度となった。 したがって，SiC-MOSFETの定格電流付近よりも低電流付近の方が，導通損失を低減できるため，効率改善効果を多く見込めることを確認できた。

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 293 Kバイト