SiC-MOSFETの電流センス機能を用いたデッドタイム制御回路

カテゴリ: 全国大会

論文No: 4-163

グループ名: 【全国大会】平成27年電気学会全国大会論文集

発行日: 2015/03/05

タイトル(英語): New dead time control circuit using the current sensor of SiC-MOSFET

著者名: 今澤 孝則(デンソー),丹羽 章雅(デンソー),入江 将嗣(デンソー),山本 昌弘(デンソー),川原 英樹(デンソー),木村 友則(デンソー),笹谷 卓也(デンソー),磯部 高範(筑波大学),只野 博(筑波大学)

著者名(英語): Takanori Imazawa(DENSO CORPORATION),Akimasa Niwa(DENSO CORPORATION),Masashi Irie(DENSO CORPORATION),Masahiro Yamamoto(DENSO CORPORATION),Hideki Kawahara(DENSO CORPORATION),Tomonori Kimura(DENSO CORPORATION),Takanari Sasaya(DENSO CORPORATION),Takanori Isobe(University of Tsukuba),Hiroshi Tadano(University of Tsukuba)

キーワード: SiC-MOSFET|ドライブ回路|デッドタイム制御|同期整流

要約(日本語): SiC-MOSFETに備わる電流センス機能を用いた新しいデッドタイム制御回路を開発した。提案回路は、外付け部品レスでデッドタイムを0.1?sec以下に短縮することが可能であり、SiC-MOSFETのボディダイオードを還流ダイオードとして使用した場合でも、SiC-SBDを使用した際と同等程度の損失に抑えることが可能となる。

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 916 Kバイト