超音波による半導体デバイス非破壊故障解析法

カテゴリ: 全国大会

論文No: 1-034

グループ名: 【全国大会】平成28年電気学会全国大会論文集

発行日: 2016/03/05

タイトル(英語): Nondestructive Failure Analysis for Semiconductor Devices by using Ultrasound

著者名: 松井 拓人(豊橋技術科学大学),穂積 直裕(豊橋技術科学大学),松本 徹(浜松ホトニクス),大高 章弘(浜松ホトニクス)

著者名(英語): Takuto Matsui(Toyohashi University of Technology),Naohiro Hozumi(Toyohashi University of Technology),Toru Matsumoto(Hamamatsui Photonics),Akihiro Ohtaka(Hamamatsui Photonics)

キーワード: 故障解析,半導体デバイス,超音波,OBIRCH,非破壊検査,配線故障

要約(日本語): 現在普及している半導体デバイス故障解析手法(OBIRCH法)はレーザによる熱刺激を利用している。しかし、半導体デバイスのパッケージ樹脂はレーザが透過しない。そこで、本研究ではパッケージ樹脂を透過できる集束超音波を応用した非破壊的な故障解析手法を検討した。 本研究ではエポキシ樹脂に覆われた模擬配線試料で基礎実験を行った。実験の結果、加熱対象配線の位置にコントラストを有する超音波刺激像が得られた。本システムは超音波をAM変調し配線に照射するため信号強度は変調周波数一周期あたりの加熱時間に依存する。この依存性を測定した。 以上より集束超音波による非破壊的な半導体デバイス故障解析手法の可能性が示めされた。

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 356 Kバイト