X点プラズマ中イオンの容器底面への効率的誘導のための側壁バイアス印加の効果

カテゴリ: 全国大会

論文No: 1-053

グループ名: 【全国大会】平成28年電気学会全国大会論文集

発行日: 2016/03/05

タイトル(英語): Effect of the sidewall bias for efficient guide of ions to the chamber bottom in an X-point plasma

著者名: 仲俣 涼平(北海道大学),菅原 広剛(北海道大学)

著者名(英語): Ryohei Nakamata(Hokkaido Univercity),Hirotake Sugawara(Hokkaido Univercity)

キーワード: 誘導結合型磁化プラズマ,対向発散磁界,X点プラズマ,モンテカルロ法,イオン輸送,バイアス

要約(日本語): イオン源として開発された誘導結合型磁化プラズマの一種，X点プラズマのプロセス応用を検討するため，本研究ではイオン生成・輸送過程を計算機解析している。本報ではArプラズマを例に円筒容器底面・側壁にバイアスを印加しAr＋イオン輸送への影響を観察した。イオンを導くため底面に－100Vを印加した他，容器上部RFアンテナ直下のイオン生成域からイオンが側壁へ拡散し表面で失われるのを抑えるため，生成域付近の側壁の一部に＋10V程度の弱い正バイアスを印加し，イオンの軌跡，底面への到達数を解析した。側壁バイアスにより底面到達数はほぼ倍増した。側壁バイアス範囲・強度の最適化でイオン誘導過程での損失減が期待される。

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 343 Kバイト