ループ型Ar/O2誘導熱プラズマによるSi基板表面の長尺一様酸化の圧力依存性

カテゴリ: 全国大会

論文No: 1-092

グループ名: 【全国大会】平成28年電気学会全国大会論文集

発行日: 2016/03/05

タイトル：ループ型Ar/O₂誘導熱プラズマによるSi基板表面の長尺一様酸化の圧力依存性

タイトル(英語): Effect of Pressure on Longitudinally Uniform Oxidation of Si Substrate Surface using Ar/O₂ Loop Type of Inductively Coupled Thermal Plasmas

著者名: 土谷 拓光(金沢大学),入江 寛光(金沢大学),丸山 裕司(金沢大学),Suan Tial Mai Kai(金沢大学),田中 康規(金沢大学),上杉 喜彦(金沢大学),石島 達夫(金沢大学),幸本 徹哉(シー・ヴィー・リサーチ),川浦 廣(シー・ヴィー・リサーチ)

著者名(英語): Takumi Tsuchiya(Kanazawa University),Hiromitsu Irie(Kanazawa University),Yuji Maruyama(Kanazawa University),Suan Tial Mai Kai(Kanazawa University),Yasunori Tanaka(Kanazawa University),Yoshihiko Uesugi(Kanazawa University),Tatsuo Ishijima(Kanazawa University),Tetsuya Yukimoto(CV Research Corporation),Hiroshi Kawaura(CV Research Corporation)

キーワード: 誘導熱プラズマ,ループ型,一様性,長尺,高速酸化,大面積処理

要約(日本語): 従来の円筒型誘導熱プラズマは高速表面処理に応用可能であるが，大面積化が困難という問題がある。筆者らはこれまでに，熱プラズマによる大面積プロセスを目指し，ループ型トーチを使用したループ型誘導熱プラズマ装置を開発している。この装置はループ型トーチを円型コイルにより挟み込み，トーチ面に垂直な交番磁界を印加して誘導熱プラズマを維持するものである。このループ管内で誘導熱プラズマを発生・安定維持できることを確認している。このループ型誘導熱プラズマの一部を基板の表面上に生成させることで，横方向に長い処理が可能となる。本報告では，圧力を変化させてSi基板の酸化試験を行い，酸化膜が横方向に一様となる条件を探索した。その結果，変動幅が28.7％となるような酸化膜を生成できた。

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 303 Kバイト