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ループ型Ar/N2/H2誘導熱プラズマの基板上H励起温度分布

ループ型Ar/N2/H2誘導熱プラズマの基板上H励起温度分布

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カテゴリ: 全国大会

論文No: 1-096

グループ名: 【全国大会】平成28年電気学会全国大会論文集

発行日: 2016/03/05

タイトル:ループ型Ar/N2/H2誘導熱プラズマの基板上H励起温度分布

タイトル(英語): Longitudinal Distribution of H Excitation Temperature of Ar/N2/H2 Loop Type of Inductively Coupled Thermal Plasmas on the Substrate

著者名: 丸山 裕司(金沢大学),入江 寛光(金沢大学),土谷 拓光(金沢大学),Suan Tial Mai Kai(金沢大学),田中 康規(金沢大学),上杉 善彦(金沢大学),石島 達夫(金沢大学),幸本 徹哉(シー・ヴィー・リサーチ),川浦 廣(シー・ヴィー・リサーチ)

著者名(英語): Maruyama Yuji(Kanazawa University),Hiromitsu Irie(Kanazawa University),Takumi Tsuchiya(Kanazawa University),Suan Tial Mai Kai(Kanazawa University),Yasunori Tanaka(Kanazawa University),Yoshihiko Uesugi(Kanazawa University),Tatsuo Ishijima(Kanazawa University),Tetsuya Yukimoto(CV Research Corporation),Hiroshi Kawaura(CV Research Corporation)

キーワード: 熱プラズマ,誘導プラズマ,ループ型,発光スペクトル,高速窒化処理,大面積処理

要約(日本語): 筆者らは,熱プラズマによる材料の大面積処理を目指し,ループ型誘導熱プラズマ装置を開発している。この装置はループ型トーチを円型コイルにより挟み込み,トーチ面に垂直な交番磁界を印加して誘導熱プラズマを維持するものである。これにより,基板上に沿うように横方向に長いAr熱プラズマを安定維持できる。本報告では,窒化処理への応用を目的としてN2/H2混合ガスを導入しプラズマの発光様相を検討した。基板上に維持したAr/N2/H2誘導熱プラズマの発光を観測し,H励起温度分布を評価した。結果として基板上にほぼ一様な温度のプラズマが生成されていることを確認した。これより,材料基板に対して一様な窒化処理ができると期待している。

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 889 Kバイト

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