半導体パワーモジュール用セラミック材料の直流リーク電流経時変化

カテゴリ: 全国大会

論文No: 2-028

グループ名: 【全国大会】平成28年電気学会全国大会論文集

発行日: 2016/03/05

タイトル(英語): Time dependence of DC leakage current through ceramic bulk using for power semiconductor module.

著者名: 早瀬 悠二(富士電機),岩田 知之(東京都市大学),瀧澤 馨(東京都市大学),三宅 弘晃(東京都市大学),田中 康寛(東京都市大学)

著者名(英語): Yuji Hayase(Fuji Electric Co.,Ltd.),Tomoyuki Iwata(Tokyo City University),Kaoru Takizawa(Tokyo City University),Hiroaki Miyake(Tokyo City University),Yasuhiro Tanaka(Tokyo City University)

キーワード: 半導体パワーモジュール,セラミック絶縁基板,リーク電流,絶縁抵抗

要約(日本語): 小型で安価なパワーエレクトロニクス機器需要の増大から、そのコア部品である半導体パワーモジュールの高パワー密度化が求められている。そのため、半導体チップと冷却体を絶縁し且つ発熱を効率的に伝導するために用いられるセラミック絶縁基板の高耐圧化・高熱伝導化が急務となっている。この基板材料に一定以上の直流電圧を印加したところ、リーク電流(体積電流)の一時的な増大が観測された。このような報告は極めて少ない。電流増大は、特にAlNを主材とするサンプルに、2.8kV/mm以上の正電圧を印加した際に顕著に観測され、その特徴からイオン性キャリアの移動(電界掃引)の可能性が高い。

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 373 Kバイト