圧力波検出用半導体センサ開発への基礎研究

カテゴリ: 全国大会

論文No: 2-032

グループ名: 【全国大会】平成28年電気学会全国大会論文集

発行日: 2016/03/05

タイトル(英語): Fundamental Study for Development of Pressure Wave Detector using Semiconductor

著者名: 園田 啓太(東京都市大学),熊岡 賢祐(東京都市大学),三宅 弘晃(東京都市大学),田中 康寛(東京都市大学),澤野 憲太郎(東京都市大学),丸泉 琢也(東京都市大学),越石 英樹(宇宙航空研究開発機構)

著者名(英語): Keita Sonoda(Tokyo City University),Kensuke Kumaoka(Tokyo City University),Hiroaki Miyake(Tokyo City University),Yasuhiro Tanaka(Tokyo City University),Kentarou Sawano(Tokyo City University),Takuya Maruizumi(Tokyo City University),Hideki Koshiisi(Japan Aerospace Exploration Agency)

キーワード: パルス静電応力法,空間電荷分布,シリコン基板

要約(日本語): 近年、多くの電気機器が普及し、機器の小型・高性能化により、使用される厚さ数マイクロメートルオーダーの絶縁材料の絶縁性能の評価が望まれている。当研究グループでは薄膜絶縁材料の評価を行うために、測定装置の位置分解能の向上を図ってきた。これまでに、厚さ25 ?m程度の試料の評価を行うことが可能である、位置分解能2 ?m程度の測定装置の開発に成功した。今回、測定装置のさらなる高分解能化に向け、高分解能型測定装置を用いて、半導体空乏層内の空間電荷分布測定を行った。その結果、空乏層における逆バイアス、順バイアス特性だと考えられる、出力信号波形が印加電界の極性によって、増減する傾向を観測することができた。

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 257 Kバイト