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Se金属蒸気を用いたIn薄膜の低温セレン化処理

Se金属蒸気を用いたIn薄膜の低温セレン化処理

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カテゴリ: 全国大会

論文No: 2-086

グループ名: 【全国大会】平成28年電気学会全国大会論文集

発行日: 2016/03/05

タイトル(英語): Low temperature selenization of In thin film by using Se metal vapor

著者名: 一戸 善弘(北海道科学大学),矢神 雅規(北海道科学大学),三澤 顕次(北海道科学大学)

著者名(英語): Yoshihiro Ichinohe(Hokkaido University of Science),Masaki Yagami(Hokkaido University of Science),Kenji Misawa(Hokkaido University of Science)

キーワード: InSe,セレン化

要約(日本語): 一般的にInのセレン化はInの融点以上で行なうが、今回は我々はIn融点以下(100℃)でセレン化処理を行なった。その結果、融点付近でセレン化を行なうのと同様にIn-Se系化合物が作製できたので報告する。また、融点以下で作製したIn-Se系化合物について熱処理を行なった結果についても報告する。

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 345 Kバイト

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