低温フォトルミネッセンス法によるAgGaTe2薄膜の光学的特性評価

カテゴリ: 全国大会

論文No: 2-090

グループ名: 【全国大会】平成28年電気学会全国大会論文集

発行日: 2016/03/05

タイトル：低温フォトルミネッセンス法によるAgGaTe₂薄膜の光学的特性評価

タイトル(英語): Characterization of Optical Properties of AgGaTe₂ by Low Temperature Photoluminescence

著者名: 鬼界 伸一郎(早稲田大学),宇留野 彩(早稲田大学),末次 由里(早稲田大学),小林 正和(早稲田大学)

著者名(英語): Shinichiro Kikai(Waseda University),Aya Uruno(Waseda University),Yuri Suetsugu(Waseda University),Masakazu Kobayashi(Waseda University)

キーワード: 近接昇華法,カルコパイライト

要約(日本語): AgGaTe₂は太陽電池材料に最適なバンドギャップに近い値を持ち、これまでに近接昇華法を用いてSi基板上に高品質なAgGaTe₂薄膜の作製に成功している。太陽電池の変換効率向上のためには薄膜内の光励起・再結合プロセスを理解することが重要であり低温フォトルミネッセンス(PL)法による評価が有効であると考えられている。そのため本研究ではPL測定によってAgGaTe₂薄膜を評価することとした。PL測定を行ったところ、AgGaTe₂の欠陥由来、バンド端由来のピークを確認することが出来た。また作製条件によって発光スペクトルが変化していることが明らかになった。このことから、PL測定は高品質なAgGaTe₂薄膜を得るための指標となることが期待できる。

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 458 Kバイト