MBE法により作製されたサファイア基板上ZnTe薄膜の結晶性評価

カテゴリ: 全国大会

論文No: 2-091

グループ名: 【全国大会】平成28年電気学会全国大会論文集

発行日: 2016/03/05

タイトル(英語): Characterzation of the ZnTe thin film grown on the sapphire substrate by MBE

著者名: 玉川 陽菜(早稲田大学),中須 大蔵(早稲田大学),服部 翔太(早稲田大学),木津 健(早稲田大学),橋本 勇輝(早稲田大学),小高 圭佑(早稲田大学),孫 惟哲(早稲田大学),風見 蕗乃(早稲田大学),小林 正和(早稲田大学),朝日 聡明(JX金属)

著者名(英語): Haruna Tamagawa(Waseda University),Taizo Nakasu(Waseda University),Shota Hattori(Waseda University),Takeru Kizu(Waseda University),Yuki Hashimoto(Waseda University),Keisuke Odaka(Waseda University),Wei-Che Sun(Waseda University),Fukino Kazami(Waseda University),Masakazu Kobayashi(Waseda University),Toshiaki Asahi(JX)

キーワード: 分子線エピタキシー,サファイア,ZnTe

要約(日本語): ZnTeは電気光学素子への応用が注目されている材料である。我々はサファイア基板上ZnTe薄膜構造に注目した。サファイアとZnTeは結晶構造が異なることから、平坦な表面、優れた結晶性・光学特性を有する高品質なZnTe薄膜の作製は難しい。そこで、ZnTeと大きな格子不整合があるが、素子化への応用が可能な高品質ZnTe薄膜が作製できることが知られているGaAs基板上ZnTe薄膜と特性を比較し、サファイア基板上ZnTe薄膜がどの程度の特性を示すのか評価を行った。両者のPL測定結果から励起子発光であるY発光、FE発光が確認された。そのため、サファイア基板上ZnTe薄膜はGaAs基板上ZnTe薄膜と同等の膜質を有しており、素子化への応用が可能であると考えられる。

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 323 Kバイト