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磁気異方性を制御したAMR薄膜センサ

磁気異方性を制御したAMR薄膜センサ

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カテゴリ: 全国大会

論文No: 2-129

グループ名: 【全国大会】平成28年電気学会全国大会論文集

発行日: 2016/03/05

タイトル(英語): The AMR film sensor with induced magnetic anisotropy.

著者名: 本多 章人(東北大学),横井 甫(東北大学),枦 修一郎(東北大学),石山 和志(東北大学)

著者名(英語): Akito Honda(Tohoku University),Hazime Yokoi(Tohoku University),Shyuuitirou Hasi(Tohoku University),Kazushi Isiyama(Tohoku University)

キーワード: AMR効果,誘導磁気異方性,Fe-Ni

要約(日本語): AMRセンサの高感度化を目指し、磁場中製膜、及び磁場中熱処理を用いてAMRセンサ素子の磁気異方性を誘導し、形状磁気異方性との大きさのバランスを調整することによって小さな外部磁場でもAMRセンサ素子の磁気モーメントの回転がおこりやすい素子の製作を行った。素子幅方向に磁気異方性を誘導し、22?23mΩ/Oeで電気抵抗が変化する素子サンプルを製作した。この値は同条件で幅方向に磁気異方性を誘導せずに製作した素子サンプルの2倍の値を示した。今後、磁場中熱処理を用いて誘導した磁気異方性の大きさを調整し、AMRセンサ素子を高感度化させていく。

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 275 Kバイト

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